Micron Technology fue la primera en producir en masa memoria de fase para dispositivos móviles. Algunos aún no conocen los beneficios de esta tecnología innovadora. Para saber cómo funcionará dicha memoria de teléfono, debe analizar el principio de funcionamiento de este microcircuito, que puede cambiar de una fase a otra.
La memoria de fase es un circuito integrado que se basa en una transición de fase mediante nanotubos. Los expertos lo llaman de otra manera: PRAM, Ovonic Unified Memory, PCM, PCRAM, C-RAM y Chalcogenide RAM.
La versión principal de su obra es la transformación excepcional del calcogenuro, que puede pasar de un estado amorfo a uno cristalino y viceversa. Esto sucede debido al efecto de las altas temperaturas de la corriente eléctrica sobre las moléculas de la sustancia.
Esta memoria se considera no volátil. Porque tiene la capacidad de guardar información incluso cuando la energía está apagada. Y la velocidad de su trabajo solo se puede comparar con la de la DRAM e incluso la supera.
Además de la independencia de la energía y el alto rendimiento, la memoria PCM tiene una gran cantidad de capacidades de reescritura, un tamaño de celda enorme para almacenar información, excelente resistencia y confiabilidad frente a factores externos.
Todas las propiedades anteriores de la memoria de conmutación de fase permiten facilitar significativamente el diseño de circuitos en dispositivos microelectrónicos y, al mismo tiempo, mejorar su calidad y multiplicar sus propiedades funcionales.
En este momento, empresas tan conocidas como Samsung, Intel, Numonyx, IBM están desarrollando y reconstruyendo constantemente la memoria de fase. Se puede utilizar en áreas tales como electrónica médica, industria automotriz, ingeniería aeroespacial, industria nuclear, etc. Además, esta tecnología se está volviendo simplemente insustituible en teléfonos inteligentes, tabletas y PC.
Micron explicó que la memoria de fase le da al dispositivo electrónico la capacidad de arrancar en poco tiempo, con bajo consumo de energía, tiene el mayor rendimiento y confiabilidad. Este nuevo logro, que los científicos han llamado "memoria del futuro" podrá competir con la memoria flash.
